文献类型：期刊文章

作　　者：熊建国[1] 赵华[2] 黄贻培[1] 杨代强[1] 陈志高[3,4]

机构地区：[1]重庆科创职业学院机电学院,重庆402160 [2]河北师范大学电子工程系,石家庄050024 [3]中国地震局地震研究所(地震大地测量重点实验室),武汉430071 [4]重庆科技学院电气与信息工程学院,重庆402160

出　　处：《电子器件》

基　　金：中国地震局地震研究所基金项目(IS20136001);重庆市高等教育教学改革研究重点项目(132018)

年　　份：2015

卷　　号：38

期　　号：6

起止页码：1249-1252

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了Ga Al As IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRED的低频噪声,发现其低频噪声主要表现为1/f噪声,得到与噪声模型一致的结果。该研究为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验基础与理论依据。

关 键 词：低频噪声 红外发光二极管 噪声模型 氧化层陷阱

分 类 号：TN36] TN386.1