文献类型：期刊文章

作　　者：顾品超[1] 张楷亮[1] 冯玉林[1] 王芳[1] 苗银萍[1] 韩叶梅[1] 张韩霞[1]

机构地区：[1]天津理工大学电子信息工程学院,天津市薄膜电子与通信器件重点验室,天津300384

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61274113,11204212,61404091);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-1064);天津市科技计划(批准号:13JCYBJC15700,13JCZDJC26100,14JCZDJC31500,14JCQNJC00800);天津市高等学校科技发展基金(批准号:20100703,20130701,20130702)资助的课题~~

年　　份：2016

卷　　号：65

期　　号：1

起止页码：24-32

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20160601889291)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000370940200042)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：近年来,层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点.本文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质;介绍了制备方法,包括生长制备和剥离制备.生长制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH4)_2MoS_4)、钼(Mo)和三氧化钼(MoO_3)等.剥离制备包括微机械剥离、液相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等.归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面的应用,展望了层状二硫化钼的研究前景.

关 键 词：层状二硫化钼  物理结构  制备方法  电子器件

分 类 号：TQ136.12]