文献类型：期刊文章

作　　者：蔡宏琨[1] 李涛[1] 吴限量[1] 张德贤[1] 倪牮[2] 张建军[2]

机构地区：[1]南开大学电子信息与光学工程学院电子科学与工程系,天津300071 [2]天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：Supported by the National High Technology Research and Development Program of China(2011AA050513);National Basic Research Program of China(2012CB934201)

年　　份：2015

卷　　号：34

期　　号：4

起止页码：391-395

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、DOAJ、EI(收录号：20154501513535)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000361260100002)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000361260100002)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用物理气相沉积(PVD)法在ITO透明导电衬底上制备GaSb多晶薄膜.研究了衬底温度及薄膜厚度对GaSb薄膜结构特性、电学特性以及光学特性的影响.在一定条件下生长的GaSb薄膜择优取向由GaSb(111)晶向转变为GaSb(220)晶向,这是在玻璃衬底上生长GaSb薄膜没有发现的现象.择优取向改变为(220)晶向的GaSb薄膜具有更高的霍尔迁移率.因为这种薄膜材料具有更少的晶粒间界和更少的缺陷.经优化后的GaSb薄膜的光学吸收系数在104cm^(-1)以上,适用于热光伏薄膜太阳电池中.

关 键 词：GaSb薄膜  择优取向  热光伏(TPV)  

分 类 号：P578.2] TN305.92[地质学类;地质类]