文献类型：期刊文章

作　　者：方应龙[1] 贾彩虹[1] 陈秀文[1] 张伟风[1]

机构地区：[1]河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室,河南开封475004

出　　处：《压电与声光》

基　　金：河南省高校科技创新人才支持计划基金资助项目(Grant no.2012 IRTSTHN004);中国国家自然科学基金资助项目(51202057;61350012)

年　　份：2015

卷　　号：37

期　　号：6

起止页码：1043-1046

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSCD、CSCD_E2015_2016、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。

关 键 词：AlN/Si(111)  异质结 激光分子束外延 空间电荷限制电流  电导法 界面态密度

分 类 号：TN384] O484.42]