期刊文章详细信息
MOSFET开关损耗分析
MOSFET switching loss analysis
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]上海贝尔股份有限公司,上海201206
年 份：2015
卷 号：23
期 号：23
起止页码：138-140
语 种：中文
收录情况：RCCSE、ZGKJHX、普通刊
摘 要：为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
关 键 词：MOSFET 带电插拔 缓启动 开关损耗
分 类 号：TN709]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
