文献类型：期刊文章

作　　者：万颖[1] 吴昊[2] 刘昌[1]

WAN Ying;WU Hao;LIU Chang(Key Lab.of Artificial Micro-and Nano-structures of the Ministry of Education;Key Lab.of Nuclear Solid Phys.of Hubei Province,School of Phys.and Technol.,Wuhan University,Wuhan 430072,CHN)

机构地区：[1]武汉大学物理科学与技术学院,人工微纳结构教育部重点实验室 [2]武汉大学物理科学与技术学院,核固体物理湖北省重点实验室,武汉430072

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家重点研发计划项目(2017YFA0205802);国家自然科学基金项目(11574235,11875212);江苏省资助基金项目(BK20151250)

年　　份：2019

卷　　号：0

期　　号：4

起止页码：528-533

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为提高GaN基发光二极管(LED)的发光强度,制备TiO2/Al2O3分布式布拉格反射器(DBR)来提高其外量子效率是一种有效的方法。原子层沉积(ALD)法所制备的薄膜具有良好的均匀性,适合用来制备反射器材料。同时,TiN薄膜具有良好的类金属性质,且与TiO2之间具有良好的粘附性,因此在DBR基础上再采用TiN反射层可以将反射率进一步提高。Matlab软件模拟结果表明,3~6周期厚的DBR,其反射率随厚度增加而提高。其中6周期DBR的反射率为95%,加上TiN薄膜后反射率可以得到进一步提高。实验结果与模拟结果吻合,6周期DBR+TiN结构的反射率达到99%。给带有该结构的LED注入50mA电流时,LED光输出功率(LOP)相对没有该结构的器件提升了约68.3%。

关 键 词：发光二极管 原子层沉积 分布式布拉格反射器  

分 类 号：TN312.8]