文献类型：期刊文章

作　　者：刘会刚[1] 梁达[1] 张时雨[1] 廖沁悦[1] 任立儒[1] 耿卫东[1]

机构地区：[1]南开大学电子信息与光学工程学院微电子工程系,天津300071

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金项目(61401237);天津市自然科学基金青年项目(13JCQNJC01200);高等学校博士学科点专项科研基金项目(20130031120034);国家级大学生创新创业训练计划项目(201410055056)

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：5

起止页码：698-703

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了LPIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,从理论上分析了LPIN二极管自加热效应及其对本征区载流子浓度的影响。仿真分析了不同SOI埋层材料对LPIN二极管本征区载流子浓度的影响。仿真结果显示,LPIN二极管的自加热效应会降低其本征区载流子浓度,通过改变埋层的材料,增加埋层的热导率,可以减弱自加热效应,从而增加本征区载流子浓度,提高硅基等离子天线效率。

关 键 词：硅基等离子天线  LPIN二极管  自加热效应 载流子浓度 埋层

分 类 号：TN303]