文献类型：期刊文章

作　　者：何玉平[1,2] 黄海宾[1] 周浪[1] 宁武涛[1] 袁吉仁[1] 李丹[3]

机构地区：[1]南昌大学光伏研究院,南昌 330031 [2]南昌工程学院理学院,南昌 330099 [3]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61306084;61464007);教育部博士点基金资助项目(20113601120006);江西省教育厅青年基金资助项目(GJJ13010);贵州省科学技术基金资助项目[黔科合J字LKS(2013)15号]

年　　份：2015

卷　　号：46

期　　号：22

起止页码：22067-22070

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用HWCVD法双面沉积a-Si∶H膜钝化n-Cz-Si片表面,利用光谱型椭偏测试仪和傅里叶红外光谱仪研究沉积气压、电流和热丝衬底间距对a-Si∶H薄膜结构及钝化性能的影响。结果表明,(1)薄膜中SiH2键相对SiH键含量随气压升高逐渐减少,随电流增大先减少后增大;(2)热丝衬底间距4.0cm相比7.5cm沉积的a-Si∶H薄膜微观结构中,SiH2键相比SiH键的比例更高,钝化效果也更好;(3)本文范围内,工艺参数分别为热丝衬底间距4.0cm时气压1.5Pa,沉积电流21.5A情况下钝化效果最优,钝化后硅片的表面复合速率为2.9cm/s。

关 键 词：HWCVD a-Si∶H  钝化  ε_(2)  FT-IR SiH_(n)  微观结构参数R^(*)  

分 类 号：O484]