文献类型：期刊文章

作　　者：陈龙龙[1] 张建华[1] 李喜峰[1] 石继锋[1] 孙翔[1]

机构地区：[1]上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：上海市科学技术委员会项目(No.13111102200)

年　　份：2015

卷　　号：30

期　　号：5

起止页码：796-800

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2015_2016、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：讨论了基于柔性PI基底上的底栅型TFT器件工艺,通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状。本文TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用Si3N4/SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过SEM断面观察,干刻后双层结构taper角度适合TFT器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/(V·s),阈值电压Vth约0.5V,亚域值摆幅SS约0.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff>106。通过此方法制作出的器件性能良好,满足LCD、OLED或电子纸的驱动要求。

关 键 词：柔性  薄膜晶体管  铟镓锌氧化物  迁移率

分 类 号：TN321.5]