文献类型：期刊文章

作　　者：陈选龙[1] 刘丽媛[1] 孙哲[1] 李庆飒[2]

机构地区：[1]工业和信息化部电子第五研究所,广州510610 [2]成都华微电子科技有限公司,成都610041

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2015

卷　　号：40

期　　号：11

起止页码：856-860

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2015_2016、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片背面减薄。采用OBIRCH方法从芯片背面进行激光成像,成功对0.18μm工艺6层金属化布线的集成电路gg NMOS结构保护网络二次击穿和PMOS电容栅氧化层损伤进行了失效定位,并对背面定位图像和正面定位图像、In Ga As CCD成像进行了对比分析。结果表明,In Ga As CCD成像模糊并无法定位,OBIRCH背面定位成像比正面成像清楚,可以精确定位并观察到缺陷点。因此,OBIRCH技术用于集成电路短路的背面失效定位是准确的,可解决多层结构的正面定位难题。

关 键 词：热激光激发技术  光束感生电阻变化(OBIRCH)  集成电路(IC)  失效分析  失效定位  传输线脉冲(TLP)  

分 类 号：TN407]