文献类型：期刊文章

作　　者：赵泽钢[1] 田达晰[2] 赵剑[1] 梁兴勃[1] 马向阳[1] 杨德仁[1]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程学院,杭州310027 [2]浙江金瑞泓科技股份有限公司,宁波315800

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60906001,61274057);国家科技重大专项(批准号:2010ZX02301-003)资助的课题~~

年　　份：2015

卷　　号：64

期　　号：20

起止页码：409-414

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20154901649564)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000368822000045)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或500℃热处理后的预释放,然后研究了上述应力预释放对压痕位错在后续较高温度(700—900℃)热处理过程中滑移的影响.在未经应力预释放的情况下,压痕位错在700—900℃热处理2 h后即可滑移至最大距离.当经过上述预应力释放后,位错在900℃热处理2 h后仍能达到上述最大距离,但位错滑移速度明显降低;而在700和800℃时热处理2 h后的滑移距离变小,其减小幅度在预热处理温度为500℃时更为显著.然而,进一步的研究表明:即使经过预应力释放,只要足够地延长700和800℃的热处理时间,位错滑移的最大距离几乎与未经预应力释放情形时的一样.根据以上结果,可以认为在压痕的残余应力大于位错在某一温度滑移所需临界应力的前提下,压痕位错在某一温度滑移的最大距离与应力大小无关,不过达到最大距离所需的时间随应力的减小而显著增长.

关 键 词：单晶硅片 压痕 位错滑移 应力释放

分 类 号：TN304.12]