文献类型：期刊文章

作　　者：费潇[1] 罗炳成[1] 金克新[1] 陈长乐[1]

机构地区：[1]西北工业大学理学院,凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,西安710072

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:51202195,51172183,61471301);陕西省自然科学基金(批准号:2014JQ6218)资助的课题~~

年　　份：2015

卷　　号：64

期　　号：20

起止页码：358-362

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20154901649556)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000368822000037)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用射频磁控溅射法在(LaAlO_3)_(0.3)(SrAl_(0.5)Ta_(o.5)O_3)_(0.7)(001)单晶基底上生长了镧掺杂BaSnO_3外延薄膜.通过Hall效应和热电势测量证实了镧掺杂BaSnO_3薄膜具有n型简并半导体特征,并且基于载流子浓度和Seebeck系数计算出电子的有效质量为0.31m_0(m_0为自由电子质量).镧掺杂BaSnO_3薄膜在可见波段具有良好的透明性(透过率大于73%).基于介电模型对薄膜的透过率曲线进行拟合,从拟合结果中不仅得到了薄膜的厚度为781.2 nm,能带宽度为3.43 eV、带尾宽度为0.27 eV和复光学介电常数随波长的变化规律,而且也强力地支持了基于电学参数计算电子有效质量的正确性.

关 键 词：镧掺杂BaSnO_3薄膜  载流子有效质量  光学性质

分 类 号：O484]