文献类型：期刊文章

作　　者：廖永平[1,2] 张宇[1,2] 邢军亮[1,2] 杨成奥[1,2] 魏思航[1,2] 郝宏玥[1,2] 徐应强[1,2] 牛智川[1,2]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京100083 [2]中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家973计划（2014CB643903,2013CB932904）,国家重大仪器专项（2012YQ140005）,国家自然科学基金（61435012,U1037602,61290303）,中国科学院战略先导专项（B）（XDB01010200）.

年　　份：2015

卷　　号：42

期　　号：B09

起止页码：35-38

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：使用固态源MBE系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长，通过优化稳定生长条件，结合标准宽条形激光器制备工艺，获得了在15工作温度下823mW的连续光输出，注入电流0．5A时，峰值波长为1．98μm。在1000Hz，5％占空比的脉冲工作模式下，最大脉冲功率达到1．868W。

关 键 词：激光器 中红外 大功率 光电对抗

分 类 号：O436]