文献类型：期刊文章

作　　者：李雪飞[1] 王伟[1] 王帅[1] 石晓东[1]

机构地区：[1]河北工业大学电子信息工程学院微电子研究所,天津300401

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(F2012202075)

年　　份：2015

卷　　号：52

期　　号：9

起止页码：554-558

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极。通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触。实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT。

关 键 词：有机薄膜晶体管(OTFT)  栅绝缘层 迁移率 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)  阈值电压  

分 类 号：TN321.5]