文献类型：期刊文章

作　　者：钟汉清[1] 陈长鑫[1] 刘晓东[1] 魏良明[1] 苏言杰[1] 张丽英[1] 张亚非[1]

机构地区：[1]上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系,薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海200240

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61177052;60807008;51272155);全国优秀博士学位论文作者专项资金资助项目(201154);教育部新世纪优秀人才支持计划项目(NCET-11-0319);教育部霍英东青年教师基金项目(131064)

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：435-438

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳纳米管因具有良好的物理机械性能而得到广泛的研究,其最重要的应用之一是构建场效应晶体管(FET)。文章提出并研究了一种非对称接触的单壁碳纳米管场效应晶体管(SWNT-FET),并对其电学特性进行了表征。在该器件中,SWNT被作为FET的沟道,两种不同功函数的金属被用来与SWNT形成肖特基接触;SWNT一端与低功函数金属Al形成源极,另一端与高功函数金属Pd形成漏极。该类器件可应用于下一代纳米集成电路中。

关 键 词：碳纳米管 肖特基接触 电子束光刻 碳纳米管场效应晶体管 整流特性

分 类 号：TN929.11]