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期刊文章详细信息

异质结太阳电池中非晶钝化层的分光椭偏分析  ( EI收录)  

Analysis of Amorphous Silicon Passivation Layer in Heterojunction Solar Cells by Spectroscopic Ellipsometry

  

文献类型:期刊文章

作  者:郭万武[1,2,3] 张丽平[1] 包健[2] 孟凡英[1] 陈奕峰[2] 冯志强[2] 刘正新[1,3]

机构地区:[1]新能源技术中心,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050 [2]光伏科学与技术国家重点实验室,常州天合光能有限公司,江苏常州213031 [3]中国科学院大学,北京100049

出  处:《光学学报》

基  金:国家自然科学基金(61204005);国家863计划(2011AA050501);中国科学院知识创新重要方向性项目(KGCX2-YW-399+11)

年  份:2015

卷  号:35

期  号:6

起止页码:374-381

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20153601250524)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用分光椭偏(SE)测试技术研究晶体硅(c-Si)异质结太阳电池用氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜钝化层的性能。采用有效媒介理论为基础进行分层多相拟合,研究了a-Si:H/c-Si界面层内部的缺陷散射周期(St)、a-Si:H体内孔隙率以及薄膜介电函数峰值随基底温度的变化规律。通过与傅里叶红外转换光谱计算得到的微结构数据对比,发现界面层的St与薄膜内部Si H和Si H2含量相关。依据高分辨率透射电镜(TEM)下呈现的形貌特征、有效少子寿命和异质结的implied开路电压等参数的辅助证明,确定SE技术作为一种有效的光学表征手段,能准确快速地判断a-Si:H对c-Si表面的钝化性能,继而定量给出适合晶体硅异质结太阳电池高质量a-Si:H钝化层生长的最优参数。

关 键 词:薄膜  氢化非晶硅薄膜 分光椭偏测量  介电函数 光电特性 异质结太阳电池

分 类 号:O472.3]

参考文献:

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同被引文献:

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