文献类型：期刊文章

作　　者：李克武[1,2] 王志斌[1,2] 张瑞[1,2] 王国梁[1,2] 王耀利[1,2]

机构地区：[1]山西省光电信息与仪器工程技术研究中心,山西太原030051 [2]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051

出　　处：《光学精密工程》

基　　金：国家国际科技合作专项资助项目(No.2013DFR10150);国家自然科学基金仪器专项基金资助项目(No.61127015)

年　　份：2015

卷　　号：23

期　　号：5

起止页码：1227-1232

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20152600979037)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了克服现有电光器件的缺陷,选取晶体生长工艺成熟、价格低廉、折射率及电光系数较大的LiNbO3作为电光晶体材料,研究了沿其光轴方向通光的横向电光效应。加工制作了x切、(xzl)45°切和y切3种不同切型的横向电光调制器,并对他们的调制性能做了实验分析。研究结果表明,沿LiNbO3光轴方向通光的横向电光调制有相同的电光参量,折射率感应主轴的位置与电场方向有关;3种不同切型的横向体电光调制器的零场泄露均很小,静态消光比均优于1 000∶1,半波电压实测值与理论值的相对误差不超过1.7%;相同调制电压下,它们的调制深度相同,且调制性能稳定。该项研究可为该类电光调制器件的设计和应用提供参考,拓展它们在光通信和光学测量领域的应用。

关 键 词：铌酸锂 电光晶体 电光调制器 横向电光调制  晶体切型  半波电压 调制深度

分 类 号：O436.4] TN761]