文献类型：期刊文章

作　　者：王春雷[1] 易晓磊[1] 姚超[2] 张谦君[2] 林鹤[2] 张现平[2] 王栋樑[2] 马衍伟[2]

机构地区：[1]信阳师范学院物理电子工程学院,先进微纳功能材料重点实验室,信阳464000 [2]中国科学院电工研究所,应用超导重点实验室,北京100190

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:51025726,51202243);国家自然科学基金青年科学基金(批准号:11404277)资助的课题~~

年　　份：2015

卷　　号：64

期　　号：11

起止页码：371-377

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20152400941510)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000355695600047)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：铁基超导体是在2008年由Hosono发现的一种新型超导材料,由于其具有上临界场高、各向异性小、临界电流密度大等优点,在世界范围内引起了广泛关注.以Ba1-xKxFe2As2为代表的Fe As-122系超导体具有结构简单、合成温度低、单晶容易制备等优点,是物理学家和材料学家关注的焦点.本工作在获得最优化掺杂的Ba1-xKxFe2As2单晶(Tc=38.5 K)基础上,通过分析其在不同磁场条件下电阻温度变化关系、不同温度条件下的磁滞回线等数据,系统的研究了Ba1-xKxFe2As2单晶磁通钉扎力和磁通钉扎机理.研究发现Ba1-xKxFe2As2超导体具有非常高的磁通钉扎势,其中9 T的外场条件下,其在H//c轴和H//ab面的钉扎势分别为5800 K和8100 K,展示出良好的应用前景;通过进一步分析发现,其磁通钉扎机理应是由于晶格内部的小尺寸缺陷引起的电子平均自由程变化而导致的δl钉扎.

关 键 词：Ba1-xKxFe2As2  磁通钉扎势  钉扎机理  

分 类 号：TM26[材料类]