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期刊文章详细信息

退火对微构造黑硅光致发光瞬态性质的影响  ( EI收录)  

Effect of Annealing on Transient Photoluminescence Properties of Microstructured Black Silicon

  

文献类型:期刊文章

作  者:曹丽萍[1,2] 陈战东[1] 吴强[1] 张春玲[1] 姚江宏[1]

机构地区:[1]南开大学物理科学学院和泰达应用物理研究院弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津300457 [2]喀什师范学院物理系,新疆喀什844000

出  处:《光学学报》

基  金:国家重点基础发展研究计划(2012CB934201);国家自然科学基金(61378018);天津市应用基础与前沿技术研究计划(12JCYBJC10900);广东省自然科学基金(S2013010012022)

年  份:2015

卷  号:35

期  号:5

起止页码:375-380

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20152600979216)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:研究了热退火对飞秒激光脉冲在空气中微构造的黑硅材料的光致发光(PL)时间分辨光谱和发光强度衰减性质的影响,分析了退火后黑硅材料内光生载流子的运动和缺陷的性质。通过应用双指数函数拟合PL的强度衰减曲线,得到退火导致黑硅材料光谱变化的可能机理。采用热扩散理论说明退火造成氧缺陷的增加和非平衡载流子辐射复合率的增大,导致退火黑硅的PL强度随着退火温度的升高而增大。退火后时间常数增大且慢衰减过程比重增大,说明退火消除并修复了微构造表面及内部的一些缺陷,增加表面束缚态,减小非辐射复合中心的密度,从而增大了辐射复合所占的比重,导致退火黑硅的PL谱强度增大。黑硅发光的最佳退火条件是800℃真空退火30 min。

关 键 词:光谱学 时间分辨光谱 退火 黑硅  衰减  扩散

分 类 号:O433.1] O469]

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同被引文献:

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