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期刊文章详细信息

氧氩流量比对RF溅射ZnO:Mg薄膜结构及光学性能的影响  ( EI收录)  

Influence of O_2/Ar on structure and optical properties of ZnO:Mg thin films deposited by RF magnetron sputtering

  

文献类型:期刊文章

作  者:自兴发[1,2] 叶青[1] 刘瑞明[1] 何永泰[1]

机构地区:[1]楚雄师范学院物理与电子科学学院,云南楚雄675000 [2]云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术及制备教育部重点实验室,云南昆明650092

出  处:《光电子.激光》

基  金:国家自然科学基金(61271159)资助项目

年  份:2015

卷  号:26

期  号:5

起止页码:883-888

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20153001050583)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘  要:利用射频(RF)磁控溅射技术,采用单质Zn靶和MgO陶瓷靶共溅射,在O2和Ar气的混合气氛下制备了Mg掺杂ZnO(ZnO:Mg)薄膜,并通过改变O2和Ar的流量比O2/Ar,研究了对ZnO:Mg薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,室温下O2/Ar在1∶1~3∶1范围内制备的薄膜均为单相的ZnO(002)薄膜,薄膜具有三维(3D)的结核生长模式;沉积的ZnO:Mg薄膜在N2氛下200℃退火处理后,O2/Ar为3∶1制备的薄膜在380~1200nm光谱范围内具有较高的透过率,可见光区平均透过率约为85%、最大透过率达90%;薄膜的光学带隙Eg为3.51eV,Mg掺杂对ZnO薄膜的光学带隙具有较为明显的调制作用;采用极值包络线法计算表明,薄膜在589.3nm处的折射率为1.963,膜厚约285nm。

关 键 词:射频(RF)磁控溅射  ZnO:Mg薄膜  透射光谱 光学带隙

分 类 号:TB34[材料类]

参考文献:

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同被引文献:

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