文献类型：期刊文章

作　　者：高玉竹[1] 龚秀英[1] 李继军[2] 吴广会[2] 冯彦斌[2] Takamitsu Makino[3] Hirofumi Kan[3]

机构地区：[1]同济大学电子与信息工程学院,上海201804 [2]陕西华星电子工业公司,陕西西安712099 [3]Hamamatsu Photonics K. K. , 5000 Hirakuchi, Hamakita 434-8601 ,Japan

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：军工项目;中央高校基本科研业务费资助项目

年　　份：2015

卷　　号：26

期　　号：5

起止页码：825-828

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20153001050573)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：研究提高非制冷型铟砷锑（InAsSb）光子探测器在8~9μm波长的灵敏度。用熔体外延（ME）技术在砷化铟（InAs）衬底上生长了长波长InAsSb厚外延膜,外延层厚达到50μm。X-射线衍射（XRD）谱测量表明,外延层为高质量单晶。电子探针微分析（EPMA）组份分布图像显示,Sb在外延层中的分布比较均匀。用该材料制作了光导探测器,在探测器上安装了锗（Ge）浸没透镜。非制冷条件下,器件的光谱响应证明,InAs0.06Sb0.94探测器在波长8.0μm及9.0μm处的探测率D＊分别为1.30×109 cm·Hz1/2·W-1及0.28×109 cm·Hz1/2·W-1,比InAs0.02Sb0.98探测器提高了1个数量级,这是由于InAs0.06Sb0.94材料中As组份的增加引起的。而在波长6.5μm处,InAs0.06Sb0.94和InAs0.02Sb0.98的峰值探测率D＊λp均达大于1.00×109 cm·Hz1/2·W-1,可应用在红外探测和成像领域。

关 键 词：INASSB 非制冷型光子探测器  光谱响应 探测率

分 类 号：O612.5]