文献类型：期刊文章

作　　者：谭再上[1] 吴小蒙[1] 范仲勇[1] 丁士进[2]

机构地区：[1]复旦大学材料科学系,上海200433 [2]复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家科技重大专项(批准号:2011ZX02703-004)资助的课题~~

年　　份：2015

卷　　号：64

期　　号：10

起止页码：263-269

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20152200887944)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000354878200034)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：热退火是多孔低介电常数薄膜制备过程中的重要一环,对薄膜结构及性能具有重要影响.本文以四乙氧基硅烷和双戊烯为前驱体,采用等离子体增强化学气相沉积方法制备了SiCOH薄膜,对其进行了氮气氛围下的热退火处理,分析了热退火对薄膜结构与性能的影响,探究了退火过程中薄膜结构变化的可能的反应机理.傅里叶变换红外光谱和固体核磁共振谱结果表明,沉积薄膜是一种有机无机杂化薄膜.退火过程中,薄膜中的—CH2,—CH3等有机组分被分解除去,形成了以稳定的Si—O—Si等无机组分为骨架的多孔结构,并通过氮气吸附/脱附等温线测试得到了验证.在此期间,薄膜骨架微结构亦发生一系列调整,C=C,Si—C含量增加,Si、O、C等元素间发生进一步键合.C=C含量的提高,使得薄膜的消光系数和漏电流密度增大.实验证明,退火后薄膜具有低折射率、低介电常数特性,是一类具有优异的介电性能和力学性能的材料,作为芯片后端互连层间介质具有极大的应用潜力.

关 键 词：热退火 SiCOH薄膜  等离子体增强化学气相沉积 结构与性能  

分 类 号：O484]