文献类型：期刊文章

作　　者：吴限量[1] 张德贤[1] 蔡宏琨[1] 周严[2] 倪牮[3,4] 张建军[3,4]

机构地区：[1]南开大学电子信息与光学工程学院电子科学与工程系,天津300071 [2]天津商业大学理学院,天津300134 [3]南开大学电子信息与光学工程学院光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [4]天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)(批准号:2011AA050513);教育部留学回国人员科研启动基金;天津市教委项目(批准号:20100314)资助的课题~~

年　　份：2015

卷　　号：64

期　　号：9

起止页码：429-436

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20152100871968)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000354605400034)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于Ga Sb薄膜热光伏器件是降低热光伏系统成本的有效途径之一,本文主要针对Ga Sb/Cd S薄膜热光伏器件结构进行理论分析.采用AFORS-HET软件进行模拟仿真,分析Ga Sb和Cd S两种材料各自的缺陷态密度、界面态对电池性能的影响.根据软件模拟可以得知,吸收层Ga Sb的缺陷态密度以及Ga Sb与Cd S之间的界面态密度是影响电池性能的重要因素.当Ga Sb缺陷态增加时,主要影响电池的填充因子,电池效率明显下降.而作为窗口层的Cd S缺陷态密度对电池性能影响不明显,当Cd S缺陷态密度上升4个数量级时,电池效率仅下降0.11%.

关 键 词：锑化镓 硫化镉 热光伏  

分 类 号：TM914.4]