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Sn掺杂Ga_(1.375)In_(0.625)O_3透明导电氧化物的第一性原理计算
Sn-doped Ga_(1.375)In_(0.625)O_3 Transparent Conductive Oxides from First-principles Calculations
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]鲁东大学教务处,山东烟台264025
基 金：国家自然科学基金资助项目(10974077);山东省研究生教育创新计划资助项目(SDYY13093)
年 份：2015
卷 号：33
期 号：1
起止页码：46-50
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：用第一性原理计算了Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度。Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5Sn0.125O3材料具有大的晶胞体积和强的Sn-O离子键。在Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体中,Sn原子优先取代In原子。Sn掺杂Ga1.375In0.625O3半导体显示n型导电性,杂质能带主要由Sn 5s态组成。Ga1.375In0.5Sn0.125 O3半导体的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体的光学带隙。Ga1.25In0.625 Sn0.125 O3具有小的电子有效质量,Ga1.375In0.5Sn0.125O3具有多的相对电子数。
关 键 词：Sn掺杂Ga1.375In0.625O3 电子结构 第一性原理 掺杂位置
分 类 号：TN304.2] O471.5]
参考文献：
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