文献类型：期刊文章

作　　者：龙腾江[1] 徐冠群[1] 杨晓生[2] 沈辉[1,3]

机构地区：[1]中山大学物理科学与工程技术学院,太阳能系统研究所,广东广州510275 [2]中国电子科技集团公司第四十八研究所,国家光伏装备工程技术研究中心,湖南长沙410111 [3]顺德中山大学太阳能研究院,广东顺德528300

出　　处：《材料科学与工程学报》

基　　金：2012年广东省科技计划粤港关键资助项目(2012A080107002);国家自然科学基金资助项目(61176055)

年　　份：2015

卷　　号：33

期　　号：1

起止页码：9-12

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。

关 键 词：N型硅 富硼层  湿法化学腐蚀

分 类 号：TB321[材料类] O475]