文献类型：期刊文章

作　　者：张玉[1] 雷天宇[1] 任红[1] 孙远洋[1] 蔡苇[1] 符春林[1]

机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆401331

出　　处：《表面技术》

基　　金：国家自然科学基金(51102288;51372283);重庆市教委科学技术研究项目(KJ131402);重庆科技学院博士教授科研启动基金(CK2013B08);重庆科技学院大学生科技创新训练计划项目(2014026)~~

年　　份：2015

卷　　号：44

期　　号：5

起止页码：83-90

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料,其禁带宽度较小,剩余极化强度较大,居里温度较高,在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题,制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点,因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作,阐述了不同种类的掺杂,包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂,同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响,对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类,系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后,提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。

关 键 词：铁酸铋 薄膜  漏电流 铁电性 掺杂改良  

分 类 号：O484.4]