文献类型：期刊文章

作　　者：陈思远[1] 刘强[1] 李旺昌[1] 姜力强[1] 车声雷[1]

机构地区：[1]浙江工业大学材料科学与工程学院磁电功能材料研究所,浙江杭州310014

出　　处：《电子元件与材料》

年　　份：2015

卷　　号：34

期　　号：5

起止页码：38-41

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用传统的陶瓷工艺制备贫铁MnZn铁氧体材料Mn0.61Zn0.41Ti0.02Fe1.96O4,并采用流延工艺制备出厚度为100~150μm的贫铁MnZn铁氧体薄片。研究了贫铁MnZn铁氧体材料的微观形貌和晶相结构,测试了贫铁MnZn铁氧体材料的磁性能。研究表明,贫铁Mn Zn铁氧体在低频区域的磁性能与富铁MnZn铁氧体相当,并在13.56 MHz的高频区域仍保持了较高的磁导率。通过运用仿真软件CST模拟NFC（近场通信）天线的场强分布并根据可读写距离测试了铁氧体薄片的屏蔽能力,讨论了贫铁MnZn铁氧体材料同时运用于无线充电及近场通信的可行性。

关 键 词：贫铁MnZn铁氧体  无线充电 NFC  磁谱 CST 可读写距离  

分 类 号：TM277[材料类]