文献类型：期刊文章

作　　者：刘会刚[1] 梁达[1] 廖沁悦[1] 张时雨[1] 陈晨[1] 孙菁[1] 任立儒[1] 耿卫东[1] 张德贤[1]

机构地区：[1]南开大学电子信息与光学工程学院天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金项目(61401237);天津市自然科学基金青年项目(13JCQNJC01200);高等学校博士学科点专项科研基金资助课题(20130031120034);国家级大学生创新创业训练计划项目(201410055056)

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：1

起止页码：7-11

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了横向PIN二极管及其在硅基等离子天线方面的应用,用一维理论分析了载流子大注入情况下横向PIN二极管本征区载流子浓度分布。对横向PIN二极管进行了物理建模,仿真分析了本征区长度、二氧化硅埋层、电极长度、结区掺杂浓度及表面电荷对横向PIN二极管本征区载流子浓度的影响,总结了横向PIN二极管的一般设计规则。

关 键 词：硅基等离子  天线 横向PIN二极管  载流子浓度

分 类 号：TN312.4]