文献类型：期刊文章

作　　者：陈恒杰[1] 郭雷[2] 方旺[1] 刘丰奎[1]

机构地区：[1]重庆科技学院数理学院,重庆401331 [2]重庆大学化学化工学院,重庆400044

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：重庆市教委科学技术研究项目(KJ121419);重庆科技学院研究基金(CK2010B05)

年　　份：2015

卷　　号：32

期　　号：2

起止页码：219-224

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、JST、RSC、核心刊

摘　　要：采用单双激发运动方程耦合簇(EOM-CCSD)以及多个包含迭代三激发在内的运动方程耦合簇变体(EOM-CCSDT-i,i=1a,1b,2,3和EOM-CC3)计算了HOF价层垂直电离势(VIP).在EOM-CCSD水平上优化出各价层电离态结构,得到绝热电离势(AIP),进一步计算出谐振频率.同时对称匹配簇组态相互作用(SAC/SAC-CI)也被应用到部分计算.结果显示:EOM-CC3、EOM-CCSDT-3计算的VIP接近于全三激发运动方程耦合簇EOM-CCSDT结果;EOM-CC与SAC-CI值基本一致;同时发现HOF光电子能谱实验在2A'态指认上有误并重新进行归属.HOF的第三VIP应为16.9 e V,而非光电子能谱实验测得的16.0 e V.

关 键 词：运动方程耦合簇  对称匹配簇组态相互作用  外价层电离势  

分 类 号：O561.3]