文献类型：期刊文章

作　　者：付蕊[1] 陈诺夫[1] 涂洁磊[2] 化麒麟[3] 白一鸣[1] 弭辙[1] 刘虎[4] 陈吉堃[1]

机构地区：[1]华北电力大学可再生能源学院新能源电力国家重点实验室,北京102206 [2]云南师范大学太阳能研究所,昆明650092 [3]中国科学院北京纳米能源与系统研究所,北京100083 [4]石家庄铁道大学数理系,石家庄050041

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家高新技术研究计划863项目(2011AA050507;2011AA050512);国家自然科学基金(61006050;61076051);北京市自然科学基金(2151004);中央高校基本科研业务费专项基金(13ZD05)

年　　份：2015

卷　　号：29

期　　号：7

起止页码：124-128

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展。重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法。其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率。此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望。

关 键 词：Ⅲ-Ⅴ族化合物  高效多结太阳电池  半导体键合晶格失配  

分 类 号：TM914.4]