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期刊文章详细信息

过渡层(SiO_2,TiO_2)对F掺杂SnO_2薄膜的光电性能影响研究  ( EI收录)  

Effect of Transition Layers( SiO_2,TiO_2) on the Photoelectric Properties of F Doped SnO_2 Thin Films

  

文献类型:期刊文章

作  者:高赟[1] 赵高扬[1] 任洋[2]

机构地区:[1]西安理工大学材料科学与工程学院,西安710048 [2]西安理工大学现代分析测试中心,西安710048

出  处:《人工晶体学报》

基  金:国家自然科学基金(51372198);陕西省科技计划资助项目(国际合作)(2013KW14-01)

年  份:2015

卷  号:44

期  号:2

起止页码:425-429

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20151800797377)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn O2薄膜各项性能影响很大,在Si O2薄膜过渡层上制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最小且表面致密,在Ti O2过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂Sn O2薄膜较为疏松,以Si O2为过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9%,电阻率为5.33×10-4Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂Sn O2薄膜。

关 键 词:FTO薄膜  喷雾热解 过渡层 光电性能

分 类 号:O484]

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同被引文献:

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