文献类型：期刊文章

作　　者：柯笑晗[1] 陈云琳[1] 朱亚彬[1] 范天伟[1]

机构地区：[1]北京交通大学理学院微纳材料及应用研究所,北京100044

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(61178052);教育部博士点基金(20130009110008)

年　　份：2015

卷　　号：44

期　　号：2

起止页码：368-373

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20151800797367)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在铌酸锂(LN)晶体衬底上磁控溅射铟锡氧化物(ITO)薄膜,研究了射频磁控溅射制备ITO/LN薄膜的最佳工艺。采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)分析了透明导电ITO膜的制备工艺参数对薄膜表面形貌和晶体结构的影响,同时应用四探针电阻率测量和紫外可见光谱测量技术对所研制的ITO/LN膜的光电性质进行了研究。结果表明,衬底温度为320℃,溅射时间50 min时制备的ITO/LN薄膜具有最佳光电性质,在该条件制备出薄膜的电阻率为3.41×10-4Ω·cm,ITO/LN平均可见光透光率可达74.38%,平均透光率比LN衬底提高了1.1%。应用该溅射条件制备了泰伯效应位相阵列器,其近场衍射成像的相对光强可达0.67。

关 键 词：ITO薄膜 铌酸锂 磁控溅射 光电性质

分 类 号：O484]