期刊文章详细信息
热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟 ( EI收录)
Simulation on Effect of Heat Shield Position on the Melt and Solid Liquid Interface Cz Silicon
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山东大学材料科学与工程学院,济南250061 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [3]山东交通学院航空学院,济南250357
基 金:山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)
年 份:2015
卷 号:44
期 号:2
起止页码:329-336
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20151800797361)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化。
关 键 词:直拉单晶硅 有限元 热屏位置 流场 温场 固液界面
分 类 号:O77]
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