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期刊文章详细信息

热屏位置影响直拉单晶硅熔体和固液界面的模拟  ( EI收录)  

Simulation on Effect of Heat Shield Position on the Melt and Solid Liquid Interface Cz Silicon

  

文献类型:期刊文章

作  者:关小军[1,2] 张向宇[1,2] 潘忠奔[2] 王进[1,2] 曾庆凯[3]

机构地区:[1]山东大学材料科学与工程学院,济南250061 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [3]山东交通学院航空学院,济南250357

出  处:《人工晶体学报》

基  金:山东大学晶体材料国家重点实验室开放课题(KF1303)

年  份:2015

卷  号:44

期  号:2

起止页码:329-336

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20151800797361)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:为了研究热屏位置对于直拉单晶硅的熔体和固液界面的影响,采用CGSim有限元软件对200 mm直拉单晶硅生长过程进行了模拟,结果表明,随着热屏底端位置上升(或径向内移),熔体自由表面及其邻近区域的温度下降;随着热屏底端位置径向内移,位于两个大涡胞之间的较小涡胞强度增大且移向熔体液面深处;热屏位置上升或径向外移均会使固液界面上凸程度增大,这主要归因于晶体热场的相应变化。

关 键 词:直拉单晶硅 有限元  热屏位置  流场 温场 固液界面

分 类 号:O77]

参考文献:

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同被引文献:

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