文献类型：期刊文章

作　　者：邓军权[1] 毋志民[1] 杨武庆[1] 崔玉亭[1] 胡爱元[1] 赵若禺[1] 王敏娣[1]

机构地区：[1]重庆师范大学物理与电子工程学院光电功能材料重庆市重点实验室,重庆401331

出　　处：《科学通报》

基　　金：国家自然科学基金(61201119);教育部科学技术重点项目(211152);重庆市自然科学基金重点项目(cstc2013jjB0155);重庆市基础与前沿研究计划(cstc2014jcyjA50005);重庆市教委科研项目(KJ110634);国家创新创业训练计划(201410637001)资助

年　　份：2015

卷　　号：60

期　　号：9

起止页码：830-837

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对纯LiMgN,Cu掺杂LiMgN,以及Li过量和不足时Cu掺杂LiMgN体系进行几何结构优化,计算并分析体系的电子结构、半金属性、形成能及光学性质.结果表明,Cu掺入使体系产生自旋极化杂质带,表现出半金属性,且体系性质受Li计量数的影响.当Li不足时体系的杂质带宽度增大,半金属性增强,净磁矩增大,同时体系的形成能降低,居里温度提高.而当Li过量时,体系半金属性消失,但带隙值减小,导电能力增强.通过比较光学性质发现,Cu掺入后体系在低能区出现新的介电峰,且当Li不足时介电峰增强,同时复折射率函数也发生明显变化,体系对低频电磁波吸收加强.

关 键 词：Cu掺杂LiMgN  电子结构 光学性质 第一性原理

分 类 号：O469]