文献类型：期刊文章

作　　者：刘方方[1] 展明浩[1,2] 许高斌[1] 黄斌[2] 管朋[2]

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心,合肥230009 [2]中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司,安徽蚌埠233042

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA041101)

年　　份：2015

卷　　号：52

期　　号：3

起止页码：185-190

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。

关 键 词：电感耦合等离子体(ICP)刻蚀  工艺参数 正交实验 过程优化  刻蚀垂直度  

分 类 号：TN305.7]