文献类型：期刊文章

作　　者：龚洪勇[1] 黄海宾[1] 高江[1] 周浪[1]

机构地区：[1]南昌大学太阳能光伏学院&材料科学与工程学院,南昌330031

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：江西省赣鄱英才555计划(201110);教育部博士点基金(20113601120006);国家自然科学基金(61306084)

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：529-533

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20153001062167)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用PECVD法在低沉积速率(<1?/s)条件下制备非晶硅,双面钝化n型Cz硅片(40 mm×40 mm),钝化最好的硅片平均少子寿命值为889μs,局部最高近1600μs,用准稳态光电导法测试的平均伪开路电压i Voc达722 m V。对FTIR测试结果分析表明:非晶硅薄膜中的Si H2与Si H键的相对数量对钝化效果具有重要影响。

关 键 词：氢化非晶硅 PECVD 低沉积速率  钝化

分 类 号：TK514]