文献类型：期刊文章

作　　者：黄龙[1] 梁海莲[1] 顾晓峰[1] 董树荣[2] 毕秀文[1] 魏志芬[3]

机构地区：[1]江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室,江苏无锡214122 [2]浙江大学微电子与光电子研究所,浙江杭州310027 [3]西安西电电力系统有限公司,陕西西安710077

出　　处：《浙江大学学报（工学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61171038;61150110485);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B;JUDCF13032);江苏省科技厅产学研联合创新资金前瞻性联合研究项目(BY2013015-19);江苏省普通高校研究生创新计划CXLX13_747)

年　　份：2015

卷　　号：49

期　　号：2

起止页码：366-370

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20151300678365)、IC、INSPEC、JST、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：为了研究多晶硅栅对内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件静电放电(ESD)防护性能的影响,基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺制备了LDMOS-SCR与SCR器件,并利用传输线脉冲测试比较它们的ESD特性.通过仿真2种器件在不同强度ESD应力下的电流密度分布,比较器件内部触发电流泄放路径的开启顺序;通过仿真2种器件在强电压回滞下的电流线和晶格温度的分布,分析因电场影响电流泄放的方式以及温度的分布而导致ESD鲁棒性的差异.仿真和测试结果表明,与SCR相比,具有多晶硅栅的LDMOS-SCR有多条导通路径且开启速度快,有更均匀的电流和电场分布;触发电压降低了12.5%,失效电流提高了27.0%,ESD鲁棒性强.

关 键 词：静电放电 可控硅 横向扩散金属氧化物半导体 多晶硅栅 传输线脉冲测试  

分 类 号：TN386.1]