文献类型：期刊文章

作　　者：朱琳[1] 李爱东[1]

机构地区：[1]南京大学现代工程与应用科学学院固体微结构物理国家重点实验室,南京210093

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51202107);教育部博士点基金资助项目(20120091110049);国家重大科技专项资助项目(2009ZX02039-004)

年　　份：2015

卷　　号：52

期　　号：2

起止页码：113-122

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段。简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较了ALD生长贵金属、过渡金属和活泼金属的不同工艺条件、化学过程和反应生长机理,如贵金属的燃烧反应与成核孕育期、过渡金属铜互连的前驱体与表面平整性以及活泼金属的能量辅助沉积,探讨了前驱体、成核等对金属沉积和质量的重要影响,说明了原位监控手段在生长中的作用。最后简述了ALD沉积金属面临的瓶颈,由于一些重要金属前驱体的匮乏,新的反应路径和生长机理亟待发现,并展望了其未来发展和应用前景。

关 键 词：原子层沉积(ALD)  金属薄膜 反应和生长机理  前驱体 成核

分 类 号：TN304.055]