文献类型：期刊文章

作　　者：冯松[1,2] 高勇[1,2] 薛斌[3]

机构地区：[1]西安工程大学理学院,西安710048 [2]西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048 [3]西安工程大学档案馆,西安710048

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61204080);陕西省教育厅科研计划项目(2013JK1111);西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128);陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)

年　　份：2015

卷　　号：35

期　　号：1

起止页码：71-75

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在绝缘体上硅(Silicon-on-insulator,SOI)材料的基础上,建立了SiGe-SOI微纳米尺寸的光波导结构模型,选取了损耗较小的S型SiGe-SOI弯曲光波导进行设计,并对其直波导和弯曲波导的模场进行了分析。设计中采用保角变换和三维全矢量BPM算法相结合的方法,对SiGe-SOI弯曲光波导进行了弯曲损耗分析,得到了弯曲半径对弯曲损耗的影响,给出了影响微纳米SiGe-SOI弯曲光波导设计的敏感参数。最后根据理论分析的结果,绘制了不同宽度的光波导版图,制作了微纳米SiGe-SOI弯曲光波导,并对其进行了测试分析,最终实验结果与理论分析一致,从而验证了该设计方法和理论分析的正确性。

关 键 词：光子器件 弯曲光波导  微纳米  锗硅绝缘体上硅  弯曲损耗

分 类 号：TN256]