文献类型：期刊文章

作　　者：朱登华[1] 李旺[2,3] 刘石勇[2,3] 牛新伟[2] 杜国平[1]

机构地区：[1]南昌大学材料科学与工程学院,南昌330031 [2]浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州310053 [3]浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(61366004);国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)

年　　份：2015

卷　　号：44

期　　号：1

起止页码：19-23

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用低压化学气相沉积法（LPCVD）在制绒的单晶硅片衬底上制备了B掺杂ZnO（BZO）的透明导电薄膜,研究了B2H6掺杂量、沉积时间对BZO薄膜的微观形貌、导电性能及光学减反性能的影响。结果表明,在制绒单晶硅片衬底上制备的BZO薄膜均呈现＂类金字塔＂的绒面结构,其平均晶粒尺寸在200-500 nm之间,并随B2H6掺杂量增加而减小;BZO薄膜的方阻随沉积时间的增加而呈线性迅速减小的趋势,当沉积时间为420 s时,BZO薄膜的方块电阻低至28Ω/□;在制绒单晶硅片上制备BZO薄膜后,表面平均反射率由15%明显降低至5%左右,表现出优异的光学减反性能。

关 键 词：低压化学气相沉积  B掺杂ZnO  透明导电薄膜 方块电阻 光学减反  

分 类 号：O484]