文献类型：期刊文章

作　　者：彭琼[1] 何朝宇[1] 李金[1] 钟建新[1]

机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院,微纳能源材料与器件湖南省重点实验室,湘潭411105

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB921303);国家自然科学基金(批准号:4040204);国家自然科学基金理论物理专项基金(批准号:11347206)和国家自然科学基金青年基金(批准号:11404275)资助的课题~~

年　　份：2015

卷　　号：64

期　　号：4

起止页码：288-294

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号：20151000596703)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000351281500042)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用第一性原理计算方法,研究了四方Mo Si2薄膜的电子性质.计算结果表明,各种厚度的薄膜都是金属性的,并且随着厚度的增加,其态密度与能带结构都逐渐趋近于Mo Si2块体的特性.通过对Mo Si2薄膜磁性的分析,发现三个原子层厚的薄膜具有磁性,其原胞净磁矩为0.33μB;而当薄膜的厚度大于三个原子层时,薄膜不具有磁性.此外,进一步对单侧加氢饱和以及双侧加氢饱和结构下三原子层Mo Si2薄膜的电子性质进行了研究,发现单侧加氢饱和的三原子层Mo Si2薄膜具有磁性,其原胞净磁矩为0.26μB,而双侧加氢饱和三原子层Mo Si2薄膜是非磁性的.双侧未饱和与单侧加氢饱和的三原子层Mo Si2薄膜的自旋极化率分别为30%和33%.这些研究结果表明,三原子层厚的Mo Si2超薄薄膜在悬空或者生长于基底之上时具有金属磁性,预示着它在纳米电子学和自旋电子学器件等方面都有潜在的应用前景.

关 键 词：第一性原理计算 电子性质 薄膜材料  硅化钼

分 类 号：O469]