文献类型：期刊文章

作　　者：张清清[1] 王朝勇[1,2] 程祖华[1] 韩昌报[1] 姚宁[1]

机构地区：[1]郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,郑州450052 [2]河南城建学院数理学院,平顶山467036

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61076041);河南省重点科技攻关计划项目(No.122102210099);河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(No.12B140017)

年　　份：2015

卷　　号：35

期　　号：1

起止页码：18-22

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2015_2016、EI(收录号：20151700789807)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用在直流反应磁控溅射（DMS）技术基础上改进的能量过滤磁控溅射（EFMS）技术制备了1TO薄膜，并将其应用于顶发射有机电致发光器件（TOLED）的阳极。利用x射线衍射、原子力显微镜、椭圆偏振光谱仪和四探针方块电阻测试仪分析了薄膜的结构、表面形貌、光学和电学特性，利用自搭建的电压一电流密度．发光效率测试系统测量了TOLED器件的发光效率。结果表明，与DMS技术相比，EFMS技术可有效抑制对有机功能层的溅射损伤，制备的ITO薄膜表面更平整，晶粒尺寸更细小，而且具有优良的光学和电学性能（400．800mm波长范围的平均透射率为87．1％；方块电阻低至4．56×10^-4Ω·cm）。以该薄膜为阳极的TOLED器件的发光效率显著提高，在3．26mA／cm2的电流密度下发光效率达到0．09lm／W。

关 键 词：能量过滤磁控溅射  直流反应磁控溅射 顶发射有机电致发光器件  ITO薄膜

分 类 号：O469]