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金刚石线锯切割多晶硅片的气相刻蚀制绒研究(英文) ( EI收录)
Texture for Diamond Wire Sawn Multicrystalline Silicon Wafers by a Vapor Etching Method
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南昌大学太阳能光伏学院,南昌330031
基 金:The Photovoltaic Major Science and Technology Planned Subject in Jiangxi Province(No.2009AZD10301)
年 份:2015
卷 号:44
期 号:1
起止页码:149-154
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI(收录号:20151100646872)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用气相刻蚀制绒法研究金刚石线锯切割多晶硅片制绒.加热体积比1:3、总体积400mL的HF-HNO3酸混合溶液到90℃,使酸混合溶液受热产生气相,利用气相对金刚石线锯切割多晶硅片表面进行制绒.结果表明,制绒15min之后,硅片表面的切割纹被完全去除;小腐蚀坑密布硅片表面,尺寸小于1μm,而传统湿法酸制绒所形成的腐蚀坑尺寸大于10μm.气相刻蚀后的金刚石线锯切割多晶硅片表面的微观粗糙度比传统酸混液制绒后的金刚石线锯切割多晶硅片表面的微观粗糙度高3倍多.气相制绒效果明显,并仅有12.11%的低反射率.
关 键 词:多晶硅 气相刻蚀 金刚石线锯切割 切割纹 反射率 制绒
分 类 号:TM914.4] TN305.2]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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