文献类型：期刊文章

作　　者：贾洁静[1] 党继东[1] 辛国军[1] 徐义胜[1] 王永伟[1] 费正洪[1] 孟祥熙[1] 王栩生[1] 章灵军[1]

机构地区：[1]苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,苏州215129

出　　处：《太阳能学报》

年　　份：2015

卷　　号：36

期　　号：1

起止页码：102-107

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在制备晶体硅太阳电池pn结的扩散工序中,工艺设计对硅片中磷浓度的分布起重要作用进而会影响电池电性能,通过实验研究,优化得出多步扩散工艺。结果显示,采用多步扩散方法可减少死层、增加电活性磷掺杂量,并能通过适当调整第二次恒定源扩散工艺参数实现对填充因子的独立控制。与常规的两步扩散工艺相比,新工艺制备的太阳电池开路电压Voc升高6 m V,填充因子FF得到明显改善,光电转换效率Eff有0.4%的绝对提升,使组件输出效率CTM相应提高0.97%。

关 键 词：硅太阳电池 多步扩散  PN结 第二次恒定源扩散  死层  

分 类 号：TK51]