文献类型：期刊文章

作　　者：李云明[1,2,3] 王发辉[1,2] 胡云[1,2]

机构地区：[1]新余学院新能源科学与工程学院,江西新余338004 [2]新余学院江西省高等学校硅材料重点实验室,江西新余338004 [3]中国科学院大学深圳先进技术研究院,广东深圳518055

出　　处：《新余学院学报》

基　　金：国家自然科学基金项目<多场耦合下冶金法制备的多晶硅定向生长研究>(51164033);江西省自然科学基金项目<外磁场下冶金法多晶硅的杂质分凝行为和生长机制研究>(20132BAB206021);江西省教育厅科学技术研究项目<特殊热处理对多晶硅中缺陷影响及性能研究>(12745);<冶金提纯法太阳电池多晶硅研究>(12746);<湿法冶金提纯多晶硅研究>(12747);<冶金法多晶硅定向凝固多场耦合仿真模拟研究>(12748)

年　　份：2015

卷　　号：20

期　　号：1

起止页码：5-7

语　　种：中文

收录情况：NSSD、普通刊

摘　　要：综述了不同的研究方法对太阳电池多晶硅中位错与杂质的影响,同时分析了缺陷与硅片电学性能的关系。对比发现,不同的研究过程,得出的结论侧重点不同。

关 键 词：多晶硅 位错 杂质  热处理  

分 类 号：TM914.4]