期刊文章详细信息
不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响 ( EI收录)
Influence of Different Germanium Doping Concentration on the Performance of the Multi-crystalline Silicon
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南京工业大学材料学院,南京210009 [2]东海晶澳太阳能科技有限公司,连云港222300 [3]西安交通大学能源与动力学院,西安710049
基 金:国家重点基础研究发展计划(973计划)(2009CB623100);江苏省普通高校研究生科研创新计划(CXZZ11-0326)
年 份:2014
卷 号:28
期 号:24
起止页码:5-8
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊
摘 要:研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响。实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度。当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强。当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3%,间隙氧浓度平均降低约6%,机械强度平均提高约20%。但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响。
关 键 词:多晶硅 锗 位错 氧 机械强度
分 类 号:TN305.3]
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