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期刊文章详细信息

Rf-PECVD制备Si掺杂DLC薄膜性能的研究    

Study on the Properties of DLC Films with Si Doping Prepared by Rf-PECVD

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨永亮[1] 岳莉[1] 李娜[1] 唐昊龙[2]

机构地区:[1]凯里学院物理与电子工程学院,贵州凯里556011 [2]长春理工大学,吉林长春130022

出  处:《激光与光电子学进展》

基  金:凯里学院博士专项基金(BS201327);黔东南州科技计划(黔东南科合J字[2014]4003号);贵州省教育厅自然科学研究项目(黔教合KY字[2012]061号);贵州省科学技术基金博士基金(黔科合J字[2014]2148)

年  份:2015

卷  号:52

期  号:1

起止页码:233-237

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2015_2016、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:为了改善类金刚石(DLC)薄膜的应力和热稳定性,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,通过在原有设备上加入与流量控制器相连的双起泡器,并以氩气为运载气体,正丁烷为反应物,在硅基底上实现了以液态物质四甲基硅烷(TMS)为前驱物的Si掺杂类金刚石薄膜的沉积。硬度、应力、表面粗糙度及热稳定性的测试表明,随着运载气体流量的增加,薄膜的应力分布、表面粗糙度和热稳定性都有很大程度的改善,但也导致薄膜的硬度下降,当运载气体的流量为30 m L/min(标准状态)时,Si掺杂DLC薄膜的石墨化温度可以达到600℃以上,薄膜的应力降低为0.65 GPa,表面粗糙度降低到0.566 nm,但硬度下降为12.6 GPa。

关 键 词:薄膜  类金刚石 应力 热稳定性

分 类 号:O484]

参考文献:

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同被引文献:

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