文献类型：期刊文章

作　　者：乔秀清[1] 申乾宏[1,2] 张玲洁[1,2] 陈乐生[3,2] 樊先平[1] 杨辉[1,2]

机构地区：[1]浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州310027 [2]浙江加州国际纳米技术研究院,浙江杭州310029 [3]温州宏丰电工合金股份有限公司,浙江温州325603

出　　处：《稀有金属材料与工程》

基　　金：National High Technology Research and Development Projects of China(2013AA031803);the Key Innovative Team of Zhejiang Province(2009R50010);the Fundamental Research Funds for the Central Universities(ZJUR011104)

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：11

起止页码：2614-2618

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20145000326213)、INSPEC、JST、SCI(收录号：WOS:000345954200012)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000345954200012)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：描述了一种制备Ag/Sn O2电接触材料(Sn O2的质量分数为12%)的新方法。首先采用共沉淀法制备Ag-Sn O2纳米复合粉体(Sn O2的质量分数为42%)并对该Ag-Sn O2纳米复合粉体进行了表征。XRD结果表明制备的复合粉体由纯立方相的Ag和四方金红石相的Sn O2组成;SEM及TEM结果表明,纳米Sn O2与纳米Ag颗粒均匀弥散分布在复合粉体中;并借助于TG-DTA热分析对纳米复合粉体前驱体的制备过程进行了分析。然后,将Ag-Sn O2纳米复合粉体与Ag粉混合,采用粉末冶金法制备成Ag/Sn O2电接触材料,并对制备的Ag/Sn O2电接触材料进行了表征。结果表明,由于纳米Sn O2在Ag基体中弥散分布,制备的材料的物理性能如密度、硬度及电导率比普通工艺制备的材料好。

关 键 词：AG/SNO2 纳米复合粉体 电接触材料 弥散分布  

分 类 号：TB383.3[材料类] TB33