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期刊文章详细信息

密度泛函理论研究SiN与ClO反应的产物通道    

DFT Investigation on the Production Channels for the Reaction of SiN and ClO

  

文献类型:期刊文章

作  者:武卫荣[1]

机构地区:[1]济宁学院化学与化工系山东省高校无机化学重点实验室,曲阜273155

出  处:《化学通报》

年  份:2014

卷  号:77

期  号:8

起止页码:825-825

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:利用量子化学从头算和密度泛函理论研究了SiN和ClO的反应机理。在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上优化得到了反应势能面上各驻点的几何构型;通过频率分析和内禀反应坐标计算对过渡态与反应物和产物的连接关系进行确认。在CCSD(T)/cc-pVTZ水平上对各物种的能量进行校正,得到了反应势能面。计算结果表明,该反应体系存在单态和三态势能面,其中单态势能面上反应通道(1)和(2)是主反应通道,1P4为主产物。

关 键 词:密度泛函理论 SIN 反应机理CIO  自由基  

分 类 号:O641]

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