文献类型：期刊文章

作　　者：张名川[1] 靖向萌[1,2] 王京[3] 杨盟[3] 于大全[1,2]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所系统封装研究室,北京100029 [2]华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,无锡214135 [3]北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司,北京100176

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家科技重大专项(2013ZX02501);中科院百人计划项目(Y0YB049001);国家青年自然科学基金项目(61204115)

年　　份：2014

卷　　号：34

期　　号：11

起止页码：1222-1227

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、EI(收录号：20145100335420)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：玻璃通孔(TGV)技术被认为是下一代三维集成的关键技术,该技术的核心为深孔形成工艺。感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是半导体领域中深孔形成的重要手段之一。本文通过正交实验设计方法,研究ICP石英玻璃刻蚀工艺中工作压强、C4F8流量、Ar流量三个工艺参数对深孔刻蚀的影响,探索提高刻蚀速率的优化组合。实验结果表明,C4F8流量对玻璃刻蚀速率有显著影响,并且随着C4F8/Ar流量比减小,侧壁角度垂直性越好。实验为TGV技术开发和应用提供了实验依据。

关 键 词：玻璃通孔  感应耦合等离子体刻蚀 刻蚀速率 正交实验

分 类 号：TN405.98]